石墨烯-GaN/InGaN多量子阱杂化界面与光电特性
石墨烯-GaN/InGaN多量子阱杂化界面与光电特性
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DOI：
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发表时间：
2016
影响因子：
3.2
通讯作者：
Guohong Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiaoyan Yi;Junxi Wang;Jinmin Li;Guohong Wang
