Low-frequency noise in GaAs and InP Schottky diodes

Low-frequency noise in GaAs and InP Schottky diodes
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GaAs 和 InP 肖特基二极管中的低频噪声

DOI：
10.1109/mwsym.1998.700706
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发表时间：
1998
期刊：
1998 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.98CH36192)
影响因子：
--
通讯作者：
H. Wang
H. Wang
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
K.F. Sato;C.W. Chan;K. Najita;M. DeLisio;Y.H. Chung;J. Cowles;P. Grossman;R. Lai;A. Oki;D. Streit;H. Wang

文献摘要

被引文献

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本文研究了毫米波GaAs和InP肖特基二极管的低频噪声特性。将给出使用HEMT和HBT外延制造的二极管的测量结果。这些噪声测量应该能够开发出对MMIC组件的分析和设计有用的准确模型。
This paper examines the low-frequency noise properties of millimeter-wave GaAs and InP Schottky diodes. Measurements of diodes fabricated using both HEMT and HBT epitaxy will be presented. These noise measurements should enable the development of accurate models useful in the analysis and design of MMIC components.