A CMOS High-Voltage Transmitter IC for Ultrasound Medical Imaging Applications
A CMOS High-Voltage Transmitter IC for Ultrasound Medical Imaging Applications
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用于超声医学成像应用的 CMOS 高压发射器 IC
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Je
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hyouk;Dongning Zhao;J. Cheong;Bin Guo;Hongbin Yu;M. Je
用于超声医学成像应用的高压 (HV) 发射器集成电路采用 0.18μm 双极/CMOS/DMOS 技术实现。所提出的高压发射器仅通过在具有动态栅极偏置电路的堆叠配置中采用标准CMOS晶体管来实现高集成度，同时成功地驱动浸入油环境中的电容式微机械超声换能器装置，而不会出现击穿可靠性问题。包括输出驱动器和电压电平转换器的 HV 发送器以 1.25 MHz 频率生成超过 10 Vp-p 的脉冲，并且仅占用 0.022 mm2 的核心芯片面积。
A high-voltage (HV) transmitter integrated circuit for ultrasound medical imaging applications is implemented using 0.18-μm bipolar/CMOS/DMOS technology. The proposed HV transmitter achieves high integration by only employing standard CMOS transistors in a stacked configuration with dynamic gate biasing circuit while successfully driving the capacitive micromachined ultrasound transducer device immersed in an oil environment without breakdown reliability issues. The HV transmitter including the output driver and the voltage level shifters generates over 10-Vp-p pulses at 1.25-MHz frequency and occupies only 0.022 mm2 of core die area.