Determination of the atomic configuration at semiconductor interfaces
Determination of the atomic configuration at semiconductor interfaces
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DOI：
10.1063/1.97840
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发表时间：
1987-05
影响因子：
4
通讯作者：
A. Ourmazd;W. Tsang;J. Rentschler;D. W. Taylor
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Ourmazd;W. Tsang;J. Rentschler;D. W. Taylor
我们描述了一种基于高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）的方法，该方法能够直接、灵敏地揭示化合物半导体/半导体界面处的原子构型，从而表明通常被视为原子光滑的界面可能包含显着的粗糙度。我们的技术证明 HRTEM 可以同时提供原子尺度的化学和结构信息。
We describe an approach based on high‐resolution transmission electron microscopy (HRTEM), which is capable of directly and sensitively revealing the atomic configuration at compound semiconductor/semiconductor interfaces, and thus show that interfaces normally regarded as atomically smooth can contain significant roughness. Our technique establishes that HRTEM can simultaneously provide chemical and structural information on an atomic scale.