Interfacial reactions in a HfO2/TiN/poly-Si gate stack
Interfacial reactions in a HfO2/TiN/poly-Si gate stack
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DOI：
10.1063/1.2201891
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发表时间：
2006-05-08
影响因子：
4
通讯作者：
De Gendt, S.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
MacKenzie, M.;Craven, A. J.;De Gendt, S.
利用电子能量损失谱研究了Si（100）/SiO2/HfO 2/TiN/poly-Si栅叠层中的界面反应。核心边缘上的电子能量损失近边缘精细结构显示出TiN金属栅极和周围层之间发生界面反应的证据。在TiN/poly-Si界面处观察到Si（O，N）相。(c)2006年，美国物理学会。
Interface reactions are investigated in a Si(100)/SiO2/HfO2/TiN/poly-Si gate stack using electron-energy-loss spectroscopy. The electron-energy-loss near-edge fine structure on the core edges shows evidence of interface reactions having occurred between the TiN metal gate and surrounding layers. A Si(O,N) phase is observed at the TiN/poly-Si interface. (c) 2006 American Institute of Physics.