Special Articles on Technology and Its Characterization for Synthesis of Inorganic Materials. Thermal Oxidation Mechanism of Polycarbosilane.

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无机材料合成技术及其表征专题文章。

DOI:
10.1246/nikkashi.1991.1271
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发表时间:
1991
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
Yoshio Hasegawa
Yoshio Hasegawa
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Yoshio Hasegawa

文献摘要

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ポリ(ジメチルシリレン)とテトラメチルシランの熱分解縮合で合成される4種類のポリカルボシランの酸化を酸素吸収法で行い,吸収酸素量,赤外吸収スペクトル,紫外吸収スペクトル・分子量の測定により,酸化機構を検討した。ポリカルボシランは酸化によりSi-H結合の減少とシロキサン結合の増加が起こり,分子量が増加した。分子中にポリシラン骨格を有するポリカルボシランは,ポリシラン骨格の濃度が高いほど低温で酸化されやすくなった。これはポリシラン骨格に結合した水素原子に起因するシリルラジカルの生成が原因であると推定された。ポリシラン骨格がないポリカルボシランではSi-H結合の酸化が起こる温度が高くなった。ポリカルボシランの酸化はSi-H結合の酸化を開始反応とする自動酸化機構により進むと推定された。酸化による分子量の増加は生成したシラノール基間の脱水縮合によるシロキサン結合の形成に起因するが,分子量の増加速度がそれぞれのポリカルボシランで異なることが明らかとなった。また,テトラメチルシランから合成されたポリカルボシランの酸化の特異性が明らかになった。