Fabrication of Microstripline Wiring for Large Format Transition Edge Sensor Arrays
Fabrication of Microstripline Wiring for Large Format Transition Edge Sensor Arrays
复制标题
DOI：
10.1007/s10909-012-0552-4
复制
发表时间：
2012-05-01
影响因子：
2
通讯作者：
Smith, S. J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chervenak, J. A.;Adams, J. M.;Smith, S. J.
我们开发了一种将微带线布线与过渡边缘传感器 (TES) 集成的工艺。该工艺包括用于金属蚀刻停止和电介质粘附的附加层，以实现非微带像素设计中实现的参数恢复。我们报告了通过微带工艺实现的密排 TES 阵列中的器件参数，包括 R (n)、G 和 T (c) 均匀性。此外，我们还研究了这种生产高密度微带布线（包括临界电流）的方法的局限性，以确定具有两层布线的 TES 阵列的最终可扩展性。
We have developed a process to integrate microstripline wiring with transition edge sensors (TES). The process includes additional layers for metal-etch stop and dielectric adhesion to enable recovery of parameters achieved in non-microstrip pixel designs. We report on device parameters in close-packed TES arrays achieved with the microstrip process including R (n) , G, and T (c) uniformity. Further, we investigate limits of this method of producing high-density, microstrip wiring including critical current to determine the ultimate scalability of TES arrays with two layers of wiring.