Lattice-mismatched InGaAs nanowires formed on GaAs(1 1 1)B by selective-area MOVPE
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2010.09.004
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发表时间：
2011-01
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Yoshimura;K. Tomioka;K. Hiruma;S. Hara;J. Motohisa;T. Fukui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Yoshimura;K. Tomioka;K. Hiruma;S. Hara;J. Motohisa;T. Fukui
