Development of Embedded STT-MRAM for Mobile System-on-Chips
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移动片上系统嵌入式STT-MRAM的开发
DOI：
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发表时间：
2011
影响因子：
2.1
通讯作者：
Seung H. Kang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kangho Lee;Seung H. Kang
自旋转移转矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）被认为是未来移动片上系统存储器的一种有前途的技术，因为它具有可忽略不计的静态泄漏功率、高速读/写操作和无限的读/写持久性。在本文中，我们讨论了在深度缩放CMOS逻辑平台上实现嵌入式STT-MRAM的关键挑战和最新进展。
Spin-transfer-torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) has been considered a promising technology for future mobile system-on-chip memories due to negligible static leakage power, high-speed read/write operations, and unlimited read/write endurance. In this paper, we address key challenges and recent advances for enabling embedded STT-MRAM on a deeply scaled CMOS logic platform.