HfO2 as gate dielectric on Ge: interfaces and deposition techniques
HfO2 as gate dielectric on Ge: interfaces and deposition techniques
复制标题
DOI：
10.1016/j.mseb.2006.08.016
复制
发表时间：
2006-12
影响因子：
3.6
通讯作者：
M. Caymax;S. Elshocht;M. Houssa;A. Delabie;T. Conard;M. Meuris;M. Heyns;A. Dimoulas;S. Spiga-
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Caymax;S. Elshocht;M. Houssa;A. Delabie;T. Conard;M. Meuris;M. Heyns;A. Dimoulas;S. Spiga-
