窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響

窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
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单轴应力对氮 δ 掺杂 GaAs 中氮原子对形成的单个等电子陷阱发射的影响

DOI:
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发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
矢口裕之
矢口裕之
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
新井佑也;星野真也;高宮健吾;八木修平;土方泰斗;望月敏光;吉田正裕;秋山英文;窪谷茂幸;尾鍋研太郎;矢口裕之

文献摘要

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