Single electron transport and electron spin qubit operation in Si tunnel FETs with an isoelectronic trap impurity of beryllium
Single electron transport and electron spin qubit operation in Si tunnel FETs with an isoelectronic trap impurity of beryllium
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具有铍等电子陷阱杂质的硅隧道 FET 中的单电子传输和电子自旋量子位操作
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Keiji Ono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshisuke Ban;Kimihiko Kato;Shota Iizuka;Koji Ishibashi;Satoshi Moriyama;Takahiro Mori;and Keiji Ono
