Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source
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DOI：
10.1088/1674-4926/39/3/034003
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发表时间：
2018
影响因子：
5.1
通讯作者：
Zhengsheng Han
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jiang Lu;Hai nan Liu;Xiaowu Cai;Jiajun Luo;Bo Li;Binhong Li;Lixin Wang;Zhengsheng Han
