Ultimate photovoltage in perovskite oxide heterostructures with critical film thickness
Ultimate photovoltage in perovskite oxide heterostructures with critical film thickness
复制标题
临界膜厚钙钛矿氧化物异质结构的极限光电压
DOI：
10.1063/1.3586250
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发表时间：
2011-05
影响因子：
4
通讯作者：
Ge, Chen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao, Rui-qiang;Lu, Hui-bin;Wang, Cong;Yang, Guo-zhen;He, Meng;Jin, Kui-juan;Guo, Hai-zhong;Wang, Can;Ge, Chen
在不同氧压下制备的La0.9Sr0.1MnO3/SrTiO3（0.8 wt% Nb掺杂）和La0.9Sr0.1MnO3/Si两种异质结构中，La0.9Sr0.1MnO3薄膜的临界厚度都获得了大一个数量级的光电压。我们的自洽计算表明，具有光电压极限值的La0.9Sr0.1MnO3薄膜的临界厚度分别是两个异质结中La0.9Sr0.1MnO3耗尽层的厚度。
One order larger photovoltage is obtained with critical thicknesses of La0.9Sr0.1MnO3 films in both kinds of heterostructures of La0.9Sr0.1MnO3/SrTiO3 (0.8 wt % Nb-doped) and La0.9Sr0.1MnO3/Si fabricated at various oxygen pressures. Our self-consistent calculation reveals that the critical thickness of the La0.9Sr0.1MnO3 film with the ultimate value of photovoltage is just the thickness of the depletion layer of La0.9Sr0.1MnO3 in both heterojunctions, respectively.
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影响因子：
4
作者：
Leng Liao;K. Jin;C. Ge;Chun-lian Hu;Hui‐bin Lu;Guo‐zhen Yang
通讯作者：
Leng Liao;K. Jin;C. Ge;Chun-lian Hu;Hui‐bin Lu;Guo‐zhen Yang
影响因子：
4
作者：
H. B. Lu;S. Dai;Zhong-Bo Chen;Y. L. Zhou;B. Cheng;K. Jin;L. F. Liu;G. Yang;Xiuliang Ma
通讯作者：
H. B. Lu;S. Dai;Zhong-Bo Chen;Y. L. Zhou;B. Cheng;K. Jin;L. F. Liu;G. Yang;Xiuliang Ma
影响因子：
64.8
作者：
Lee, HN;Christen, HM;Lowndes, DH
通讯作者：
Lowndes, DH
DOI：
10.1063/1.1806560
发表时间：
2004-10
期刊：
Appl Phys.Lett.
影响因子：
--
作者：
J. R. Sun;Y. P. Sun et al
通讯作者：
Y. P. Sun et al
DOI：
10.1209/0295-5075/79/57004
发表时间：
2007-09
期刊：
EPL (Europhysics Letters)
影响因子：
--
作者：
J. Qiu;K. Jin;P. Han;Hui‐bin Lu;Chun-lian Hu;Baojie Wang;Guo‐zhen Yang
通讯作者：
J. Qiu;K. Jin;P. Han;Hui‐bin Lu;Chun-lian Hu;Baojie Wang;Guo‐zhen Yang