T.Hashizume,X.D.Wang,Y.Nishina,H.Shinohara,Y.Saito,Y.Kuk and T.Sakurai,: "¨FI-STM study of C_<60> on the Si(100)surface,¨" Jpn.J.Appl.Phys. 31. 880-883 (1992)
T.Hashizume,X.D.Wang,Y.Nishina,H.Shinohara,Y.Saito,Y.Kuk and T.Sakurai,: "¨FI-STM study of C_<60> on the Si(100)surface,¨" Jpn.J.Appl.Phys. 31. 880-883 (1992)
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T.Hashizume、X.D.Wang、Y.Nishina、H.Shinohara、Y.Saito、Y.Kuk 和 T.Sakurai，：“Si(100) 表面上 C_<60> 的 FI-STM 研究，” Jpn .应用物理学杂志 31. 880-883 (1992)
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