AB INITIO STUDY OF ACCEPTOR-DONOR COMPLEXES IN SILICON AND GERMANIUM
AB INITIO STUDY OF ACCEPTOR-DONOR COMPLEXES IN SILICON AND GERMANIUM
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硅和锗中受体-供体配合物的从头开始研究
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Dederichs
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Settels;T. Korhonen;N. Papanikolaou;R. Zeller;P. Dederichs
使用全势 Korringa-KohnRostoker Green 函数方法研究了 Si 和 Ge 中 CdD 2 (D P, As, Sb) 受体-供体对的电子和几何结构，特别是电场梯度 (EFG)。此外，还研究了 Si 中的中性配合物 (CdD 0) 和三聚体 (CdD2 0)。 EFG 非常敏感地依赖于由缺陷引起的大晶格弛豫，并且可以通过简单的杂交模型来理解。我们的计算与实验结果非常吻合，并提供了 Si 和 Ge 中受体-供体配合物的一致图像。
The electronic and geometrical structures, in particular the electric field gradients (EFGs), of CdD 2 (D P, As, Sb) acceptor-donor pairs in Si and Ge are studied using the full potential Korringa-KohnRostoker Green’s function method. In addition, also neutral complexes ( CdD 0) and trimers ( CdD2 0) in Si are investigated. The EFG depends very sensitively on the large lattice relaxations induced by the defects and can be understood by a simple hybridization model. Our calculations are in good agreement with experimental results and provide a consistent picture of acceptor-donor complexes in Si and Ge.