Near-threshold study of Xe 3d photoionization.
Near-threshold study of Xe 3d photoionization.
复制标题
Xe 3d 光电离的近阈值研究。
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Bradshaw
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Kivimäki;U. Hergenhahn;B. Kempgens;R. Hentges;M. Piancastelli;K. Maier;A. Rüdel;J. Tulkki;A. Bradshaw
