Composition and stress of SiGe nanostructures on curved substrates
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DOI：
10.1103/physrevb.93.125307
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发表时间：
2016-03
影响因子：
3.7
通讯作者：
T. Leontiou;P. Kelires
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Leontiou;P. Kelires
