C-band AIGaN/GaN HEMTs with 170W Output Power
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DOI：
10.7567/ssdm.2005.i-6-5l
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发表时间：
2005-09
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yoshiharu Takadal;H. Sakurai;K. Matsushita;K. Masuda;S. Takatsuka;M. Kuraguchi;Takuma Suzuki;Takashi Suzuki;M. Hirose;H. Kawasaki;K. Takagi;K. Tsuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yoshiharu Takadal;H. Sakurai;K. Matsushita;K. Masuda;S. Takatsuka;M. Kuraguchi;Takuma Suzuki;Takashi Suzuki;M. Hirose;H. Kawasaki;K. Takagi;K. Tsuda
