Detection of gate oxide charge trapping by second-harmonic generation
Detection of gate oxide charge trapping by second-harmonic generation
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通过二次谐波产生检测栅极氧化物电荷俘获
DOI：
10.1063/1.125370
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发表时间：
1999
影响因子：
4
通讯作者：
G. P. Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Fang;G. P. Li
利用表面二次谐波光发生（SHG）技术研究了金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅极氧化物的高电场诱导陷阱氧化物电荷和中性陷阱。SHG强度的电场依赖性对氧化物和硅衬底界面处捕获的电荷很敏感。SHG强度的时间依赖性探测了氧化物中中性阱的特性。
The high-electric-field-induced trapped oxide charge and neutral oxide traps of a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor gate oxide are investigated by surface second-harmonic light generation (SHG). The electric-field dependence of the SHG intensity is sensitive to the charge trapped at the interface between the oxide and the silicon substrate. The time dependence of the SHG intensity probes the characteristics of the neutral trap sites in the oxide.
自由基氧形成的SiO2的介电特性
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
S.;Okamoto・R.;Hasunuma and K.;Yamabe
通讯作者：
Yamabe