A 180mV FFT processor using subthreshold circuit techniques
A 180mV FFT processor using subthreshold circuit techniques
复制标题
使用亚阈值电路技术的 180mV FFT 处理器
DOI：
10.1109/isscc.2004.1332709
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Chandrakasan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Alice Wang;A. Chandrakasan
最小化能量需要缩放电源电压以下设备阈值。开发和演示允许子阈值操作的逻辑和内存设计技术。使用标准的0.18/SPL MU/M CMOS逻辑过程，制造的1024点FFT处理器在最佳操作点使用155NJ/FFT时使用标准的0.18/SPL MU/M CMOS逻辑过程降至180mV。
Minimizing energy requires scaling supply voltages below device thresholds. Logic and memory design techniques allowing subthreshold operation are developed and demonstrated. The fabricated 1024-point FFT processor operates down to 180mV using a standard 0.18/spl mu/m CMOS logic process while using 155nJ/FFT at the optimal operating point.