Noise reduction of pHEMTs with plasmaless SiN passivation by catalytic CVD
Noise reduction of pHEMTs with plasmaless SiN passivation by catalytic CVD
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通过催化 CVD 进行无等离子体 SiN 钝化，降低 pHEMT 的噪音
DOI：
10.1109/gaas.1997.628242
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Matsumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Hattori;G. Nakamura;S. Nomura;T. Ichise;A. Masuda;H. Matsumura
我们改进了催化 (cat-) CVD 技术，以实现化合物半导体的无损伤钝化。 cat-CVD SiN 钝化成功降低了 X 波段 pHEMT 的噪声系数，因为沉积损伤较低，导致 Rs 和 Cgs 降低。
We improved the catalytic (cat-) CVD technique for damage free passivation on compound semiconductors. The cat-CVD SiN passivation successfully reduces the noise figure of X-band pHEMTs because Rs and Cgs are reduced due to low deposition damage.