ポジ型電子線レジストSML1000をマスクとして用いたSF6-RIEによるGeのドライエッチング
ポジ型電子線レジストSML1000をマスクとして用いたSF6-RIEによるGeのドライエッチング
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使用正电子束抗蚀剂 SML1000 作为掩模，通过 SF6-RIE 进行 Ge 干法蚀刻
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松下祥子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松谷晃宏;遠西美重;藤本美穂;松下祥子
