Vektorieller Millimeterwellen-Netzwerkanalysator

Fortschritte in der Halbleite Technologie(SiGe、CMOSs、GaAs...)Der letzten Jahre(z.B.FT/FMAX&GT；300 GHz für Silizium BZW.FT/FMAX&GT；500 GHz für GaAs)在Zukunft eine Hohe集成von Schaltkreisen，Selbst Bee Frequenzen im Bereich der Millimeter well(MMW)。Gleichzeitig könnnen Be Diesen Frenenzen auf Grund der Kleinen Wellenlänge(z.B.5 mm Be 60 GHz)Antennen auf芯片在Chipgehäuse使用集成格栅。在Gehäusen的Kleinen Gehäusen中，他们将整合成Mmon kompletten-Funksystem en。在这座城市里，我们将集中力量，集中力量，从整体上解决问题，从技术上解决问题，从整体上解决问题。材料和几何都是Einzelteile的。他说：“我不知道你的意思是什么？”他说，“我不知道你的意思是什么？”在德国新工厂和Forschungsbereich UNMöglich的微型集成机构和天线的外部的Halbleiter和Antennen Sowie der am Institut Institut Institution-MmW-System is eine Forschung in Dm neu geants en Forschungsbereich UNMöglich.Das hier geplant Messgerät ermöglicht die Messung der Streu参数bisüber 300 GHz sowohl on-wafer als auch steckergebunden.

Die enormen Fortschritte in der Halbleitertechnologie (SiGe, CMOS, GaAs ...) der letzten Jahre (z. B. fT/fmax > 300GHz für Silizium bzw. fT/fmax > 500GHz für GaAs) erlauben in Zukunft eine hohe Integration von Schaltkreisen, selbst bei Frequenzen im Bereich der Millimeterwellen (mmW). Gleichzeitig können bei diesen Frequenzen auf Grund der kleinen Wellenlänge (z. B. 5 mm bei 60 GHz) Antennen auf Chips oder in Chipgehäuse integriert werden. Dies ermöglicht die Integration von kompletten mmW-Funksystemen in sehr kleinen Gehäusen. In den nächsten Jahren ist am IHE intensive Forschung in den Bereichen integrierte mmW-Schaltkreise, Antennen und Lösungen für Gehäuse und Verbindungstechnik, sowie Systemkonzepte zur Realisierung zukünftiger Systemlösungen für Kommunikation und Radarsensorik geplant.Bei mmW-Frequenzen ist die Performanz eines hoch integrierten Moduls sehr empfindlich bzgl. Material und Geometrie aller Einzelteile. Aufwändige Simulationen können hierzu zwar relativ genaue Abschätzungen liefern, aber als Funktionsnachweis ist eine messtechnische Verifikation zwingend notwendig. Ohne eine gute Messtechnik zur Charakterisierung der extern gefertigten Halbleiter und Antennen sowie der am Institut integrierten Miniatur-mmW-Systeme ist eine Forschung in dem neu geplanten Forschungsbereich unmöglich. Das hier geplante Messgerät ermöglicht die Messung der Streuparameter bis über 300 GHz sowohl on-wafer als auch steckergebunden.