Flugzeit-Sekundärionen-Massenspektrometer (TOF-SIMS)

Die beantragte TOF-SIMS-Anlage soll / / / / / Die struckturrelle and chemische Charakterisierung vonOberflächen and Grenzflächen in funcktionellen Materialien verwendet werden。in Schwerpunkt liegtdabei auf der Analyse von ionenleitenden, elektronenleitenden and semi - chleitenden materials, divelelelem Interesse; r Anwendungen in der elekchemischen Energiespeicherung and in derionenaustauschchromatography sind。Beispiele sind die Oberflächen von Ionenleitern nachelektrischer极化oionenbeschuss， konzconcentrationsprofile von Ionen in semichchten Leitern and die Analyse von ionenaustauschenden Gruppen in Materialien fr die chromatography。Ein Teil dieser Projekte ist Bestandteil einer geplanten DFG-Forschergruppe zum Thema“Räumliche und zeitliche Hierarchien im Transport von Ionen and inneren und äußeren Grenzflächen”。Zusätzlich soll die Veränderung in bakterienhllennach Kälteschock analysiert sowie in der zentralenmassenspectretry - abteilung服务- messungen f<e:1> rden gesamten Fachbereich durchgefhrtwerden。模具型号：tof - sims - anage垂直线Tiefenauflösung < 1nm，线lateraleAuflösung < 100nm，线Massenauflösung > 10.000。Der zur verf<e:1> gung stehendetemperature -130°C至+600°C。中国农业科学与技术研究所，中国农业科学与技术研究所。

Die beantragte TOF-SIMS-Anlage soll für die strukturelle und chemische Charakterisierung vonOberflächen und Grenzflächen in funktionellen Materialien verwendet werden. Ein Schwerpunkt liegtdabei auf der Analyse von ionenleitenden, elektronenleitenden und gemischtleitenden Materialien, dievon potentiellem Interesse für Anwendungen in der elektrochemischen Energiespeicherung und in derIonenaustauschchromatographie sind. Beispiele sind die Oberflächen von Ionenleitern nachelektrischer Polarisation oder Ionenbeschuss, Konzentrationsprofile von Ionen in gemischten Leitern und die Analyse von ionenaustauschenden Gruppen in Materialien für die Chromatographie. Ein Teil dieser Projekte ist Bestandteil einer geplanten DFG-Forschergruppe zum Thema „Räumliche und zeitliche Hierarchien im Transport von Ionen an inneren und äußeren Grenzflächen“. Zusätzlich soll die Veränderung in Bakterienhüllen nach Kälteschock analysiert sowie in der zentralenMassenspektrometrie-Abteilung Service-Messungen für den gesamten Fachbereich durchgeführtwerden. Die beantragte TOF-SIMS-Anlage erreicht eine Tiefenauflösung < 1 nm, eine lateraleAuflösung < 100 nm und eine Massenauflösung > 10.000. Der zur Verfügung stehendeTemperaturbereich erstreckt sich von -130 °C bis +600 °C. Diese Leistungsspezifikationen sind für diegeplanten Projekte ausreichend.