Chemische Grenzfächenmodifikation für Injektionsuntersuchungen in elektrischen Bauteilen im Bereich der organischen Elektronik

Die Verwendung组织者Halbleiter in der Mikroelektronik eröffnet den Zuang zu elektrischen Bauteilen Wie Organchen Leuchtdioden(sog.OLED)从组织的Feldeffekt-Transistoren(OFETs)MIT neuartigen Eigenschaften(Verglichen MIT Herkömm licher Si-Technologie)，Wie z.B.Machischer fleibilität，gro？fläChiger Anwendbarkeit and billiger Herstellung.他说：“我们不能让所有的人都知道这一点，我们的组织者是Schichten和Dutzung的修饰者，我们是Gate-Dielektrika的修饰者。在哈尔布利特的组织者哈尔布利特，他的过敏反应是什么？他告诉我们，他在另一种选择的项目中是唯一的，领头羊Anatz zur Verbeserung von OFETs verfolgt wden：die gezielte Chemische Modifikation der Metall-Organik-Grizfläche.单项有机硫化合物(SAMS)von Organothioreen auf(hauptsächlich)GoldoberfläChen/-elektroden。这是一件非常重要的事情，因为这是一件非常重要的事情，因为它是一件非常重要的事情。

Die Verwendung organischer Halbleiter in der Mikroelektronik eröffnet den Zugang zu elektrischen Bauteilen wie organischen Leuchtdioden (sog. OLEDs) oder organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs) mit neuartigen Eigenschaften (verglichen mit herkömmlicher Si-Technologie), wie z.B. mechanischer Flexibilität, großflächiger Anwendbarkeit und billiger Herstellung. Die Leistungsfähigkeit insbesondere der Transistoren wurde in den letzten Jahren vor allem durch Verwendung homogenerer, hochreiner organischer Schichten und durch Nutzung modifizierter, wasserabweisender Gate-Dielektrika verbessert. Da allerdings die Leistung vieler Bauteile limitiert wird durch die Ladungsträgerinjektion von der Metallelektrode in den organischer Halbleiter, die mit teils hohen Barrieren verknüpft ist, soll in diesem Projekt ein alternativer, tiefgreifenderer Ansatz zur Verbesserung von OFETs verfolgt werden: Die gezielte chemische Modifikation der Metall-Organik-Grenzfläche. Diese ist möglich durch Aufbringen von selbst-assemblierenden Monolagen (SAMs) von Organothiolen auf (hauptsächlich) Goldoberflächen/-elektroden. Die chemisch vielfältigen Möglichkeiten einer Funktionalisierung dieser SAMs können nicht nur zur besseren elektronischen Kopplung genutzt werden, sondern sollen in Verbindung mit gemessenen Transistorkennlinien auch zu einem verbesserten Verständnis der Metall- Organik-Grenzfläche und des Prozesses der Ladungsträgerinjektion führen.