Germanium-Zinn-Epitaxie für eine neue Generation von Infrarotdetektoren auf Siliziumsubstrat

在德国的基础上，我们的基础设施是什么，德国的基础设施是什么？WachstumsandWahl ist dabe die is IHT etableteed Niedertematur-Molekularstrahleppaxie MIT in in-就地Ionenberchus.Erstes Zentales Zirist De Ermittlung De Wachstums参数für die Herstellung einkstaralliner Ge/Ge1-zSnz-Heterostrukturen MIT Zinn-Gehalten Kleiner Gleich 10%。在德国，德国的经济和经济增长很快，而德国的经济却没有得到充分的发展，因此，我们将在德国的经济和技术领域取得更大的成功。在50 GHz的频率范围内，我们将在1，55μ的频率范围内完成这项工作。

Das Forschungsprojekt beschäftigt sich mit der Herstellung von neuartigen Ge1-zSnz- Schichten mit dem Ziel, diese in Silizium-basierten Infrarotdetektoren einzusetzen, um deren optische Empfindlichkeit oberhalb der direkten Bandlücke von Germanium deutlich zu erhöhen. Die Wachstumsmethode der Wahl ist dabei die am IHT etablierte Niedertemperatur-Molekularstrahlepitaxie mit in-situ Ionenbeschuss.Erstes zentrales Ziel ist die Ermittlung der relevanten Wachstumsparameter für die Herstellung einkristalliner Ge/Ge1-zSnz-Heterostrukturen mit Zinn-Gehalten kleiner gleich 10 %. Aufgrund der starken Segregationseigenschaften und der geringen Gleichgewichtslöslichkeit von Zinn in Germanium wird in diesem Forschungsantrag neben dem Tieftemperatureinbau besonders der Zinn-Einbau unter in-situ Ionenbeschuss favorisiert.Das zweite Ziel ist der Einsatz der hergestellten Schichten in optischen Detektoren, die in Wellenlängenbereichen des Nahen Infrarot arbeiten, die mit bisheriger SiGe- Technologie nicht erreicht werden können. Diese Detektoren sollen Geschwindigkeiten von 50 GHz bei einer Wellenlänge von 1,55 μm mit einer sehr hohen Quanteneffizienz besitzen.