Interface Physics in Oxide Heterostructures (G02*)

项目G2韦尔登mittels der am Lehrstuhl vorhandenen Depositionsanlagen（gepulste Laserablation，Sputtern，Elektronenstrahlverdampfen）oxidische oder intermetallische Heterostrukturen aus Übergangsmetallen gewachsen and die Grenzflächen auf neue electronische Phasen hin untersucht.这些新的电子相位通过电子重构、测试、化学测试或尺寸测试在完全不同的材料上进行。异质结构的Densegezieltes Strukturieren sollen neuartige elektronische Bauteile für die Oxidelektronik gefunden韦尔登。

m Projekt G2 werden mittels der am Lehrstuhl vorhandenen Depositionsanlagen (gepulste Laserablation, Sputtern, Elektronenstrahlverdampfen) oxidische oder intermetallische Heterostrukturen aus Übergangsmetallen gewachsen und die Grenzflächen auf neue elektronische Phasen hin untersucht. Diese neuen elektronischen Phasen können beispielsweise durch elektronische Rekonstruktion, Vermischung, chemisches Dotieren oder Einschränken der Dimension in stark korrelierten Materialien auftreten. Durch gezieltes Strukturieren der Heterostrukturen sollen neuartige elektronische Bauteile für die Oxidelektronik gefunden werden.