Ultrafast piezospectroscopy for controlling electronic excitations in semiconductor nanostructures

Ultrakurzzeit-Piezospektroskopie是一种新的实验方法，它可以使人在半量子结构中控制韦尔登能量。脉冲韦尔登通过金属薄膜的照射而产生，在半导体结构上产生，并带有强烈的激光脉冲。在奥氏体化金属中，存在热弹性效应。Der Film dient als Injektor für die Verspannungspulse in den Halbleiter.利用更高的时间流韦尔登来验证光学技术，以研究能量消耗韦尔登。光致发光、反射和克尔旋转。本文的主要研究内容包括：（1）电磁场的非线性控制，（2）微腔电磁场的超声波控制，（3）超磁半导体的自旋-弛豫控制，（4）超磁半导体的自旋-弛豫控制。磁离子的自旋磁场。

Ultrakurzzeit-Piezospektroskopie, eine neu entwickelte experimentelle Methode, soll hinsichtlich ihrer Eignung für die Kontrolle der Energien elektronischer Anregungen in Halbleiterquantenstrukturen auf einer Zeitskala von Pikosekunden oder darunter über Verspannungspulse untersucht werden. Die Pulse werden durch Bestrahlung eines dünnen Metallfilms, der auf einer Halbleiterheterostruktur aufgebracht wurde, mit intensiven fs-Laserpulsen erzeugt. Dabei wird der thermoelastische Effekt im Metall ausgenutzt. Der Film dient als Injektor für die Verspannungspulse in den Halbleiter. Verschiedene optische Techniken mit hinreichend hoher Zeitauflösung werden zur Untersuchung der Energieverschiebungen eingesetzt werden. Beispiele sind Photolumineszenz, Reflexion und Kerr-Rotation. Untersucht werden sollen (1) der Bereich sehr hoher Verspannungen, in dem aufgrund von Nichtlinearitäten der Puls verformt wird bis hin zur Ausbildung von Solitonen, (2) die Möglichkeiten zur ultraschnellen Kontrolle der Lichtemission aus einer Mikrokavität, und (3) die Kontrolle der Spin-Gitter-Relaxation in verdünnten magnetischen Halbleitern über Verspannungspulse bzw. die Erzeugung von Spinkohärenz der magnetischen Ionen damit.