電場および磁場によるガラス状態の制御に関する研究
電場および磁場によるガラス状態の制御に関する研究
批准号:
11750630
负责人:
山登 正文
金额:
$1.41万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 2000
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局所的分子運動に外場を作用させることによるガラス状態への影響について検討を行った.本研究では新写真システム(APS)のベースフィルムとして用いられているポリエチレン-2,6-ナフタレート(PEN)に着目した.PENはガラス転移温度直下に非常に低周波数の分子運動が存在することが知られていたが,前年度までの研究によりこの分子運動がナフタレン環の運動であることが明らかになった.さらにナフタレン環のパッキングをナフタレン環の分子運動と同程度の交番電場を印加することにより抑制できることを明らかにしてきた.本年度は結晶化したPENフィルムにおいてエンタルピー緩和およびエンタルピー緩和における電場の影響について検討を行った.結晶化試料では急冷試料に比べてエンタルピー緩和が非常に少ないことがわかった.結晶化試料では急冷試料に比べてガラス領域が少なく,それに伴って余剰エンタルピーも減少する.しかしながら実際のエンタルピー緩和量は結晶化度の変化に比べて著しく減少した.これは結晶の存在に伴いガラス領域が質的に変化したことを意味している.交番電場の印加によるエンタルピー緩和への影響は急冷試料の場合とは異なった.急冷試料の場合には熱処理初期で大きな抑制効果が見られたが,結晶化試料では優位な差は見られなかった.これは結晶が存在することによりガラス領域が変化したことによるものと思われる.エンタルピー緩和の抑制はナフタレン環の運動の効果であった.つまり結晶化試料中のガラス領域では,すでにナフタレン環の運動が抑制されるような構造が形成されているものと考えられる.
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山登正文: "ポリエチレン-2,6-ナフタレート(PEN)のphysical agingに対する電場効果II"高分子学会予稿集. 49. 453 (2000)
Masafumi Yamato:“电场对聚 2,6-萘二甲酸乙二醇酯 (PEN) II 物理老化的影响”,高分子科学技术学会会刊,49. 453 (2000)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
山登正文: "ポリエチレン-2,6-ナフタレート(PEN)のphysical agingによる構造変化"高分子学会予稿集. 49. 2019-2020 (2000)
Masafumi Yamato:“物理老化导致的聚 2,6-萘二甲酸乙二醇酯 (PEN) 的结构变化”高分子科学技术学会论文集 49。2019-2020 (2000)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Masafumi Yamato: "Effect of Applied Field on Physical Aging of Poly (ethylene-2,6-naphthalate)"2000 international chemical congress of pacific basin societies. MACR798-MACR799 (2000)
Masafumi Yamato:“应用场对聚(2,6-萘二甲酸乙二醇酯)物理老化的影响”2000年太平洋盆地学会国际化学大会。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
山登正文、木村恒久 伊藤栄子: "ポリエチレン-2,6-ナフタレートの誘電緩和挙動に及ぼすTg以下の熱処理の影響II"Polymer Preprint Japan. 48. 934 (1999)
Masafumi Yamato、Tsunehisa Kimura、Eiko Ito:“低于 Tg 的热处理对聚 2,6-萘二甲酸乙二醇酯 II 介电弛豫行为的影响”Polymer Preprint Japan 48. 934 (1999)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Masafumi Yamato: "Effect of Applied Field on Physical Aging of Polymer"Memoirs of Graduate School of Engineering Tokyo Metropolitan University. 49. 34 (2000)
大和雅文:“应用场对聚合物物理老化的影响”东京都立大学工学研究科回忆录。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
高分子相分離構造制御への磁場応用
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批准号:16685022
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$17.31万
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财政年份:2004
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负责人:山登 正文
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依托单位:
磁場および電場による液晶高分子の配向制御
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批准号:08750842
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1996
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负责人:山登 正文
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依托单位:
磁場による液晶高分子の配向制御
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批准号:07750803
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1995
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负责人:山登 正文
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依托单位: