Physics of the interface of f-electron systems and development to the novel devices
Physics of the interface of f-electron systems and development to the novel devices
f电子系统界面物理及新型器件的开发
批准号：
15H02014
负责人：
Terashima Takahito
金额：
$27.12万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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115In-NMRでみた重い電子系超格子CeCoIn5/YbCoIn5の界面の電子状態
115In-NMR 观察重电子系统超晶格 CeCoIn5/YbCoIn5 界面的电子态
115In-NMR 观察重电子系统超晶格 CeCoIn5/YbCoIn5 界面的电子态
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山中隆義, 下澤雅明, 遠藤僚太, 水上雄太, 宍戸寛明, 芝内孝禎, 寺嶋孝仁, 松田祐司, 石田憲二]
通讯作者：
石田憲二
115In-NMR/NQRで観る人工超格子CeCoIn5/CeRhIn5及びエピタキシャル膜CeRhIn5の磁気構造の層数依存性
115In-NMR/NQR 观察人造超晶格 CeCoIn5/CeRhIn5 和外延膜 CeRhIn5 磁结构的层数依赖性
115In-NMR/NQR 观察人造超晶格 CeCoIn5/CeRhIn5 和外延膜 CeRhIn5 磁结构的层数依赖性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[仲嶺元輝, 山中隆義, 北川俊作, 石田憲二, 石井智大, 成塚政裕, 鳥井陽平, 下澤雅明, 宍戸寛明, 笠原成, 常盤欣文, 笠原裕一, 水上雄太, 芝内孝禎, 寺嶋孝仁, 松田祐司]
通讯作者：
松田祐司
Micro SQUIDを用いたURu2Si2におけるカイラルエッジ電流の検出
使用 Micro SQUID 检测 URu2Si2 中的手性边缘电流
使用 Micro SQUID 检测 URu2Si2 中的手性边缘电流
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[橋本浩法, 石井智大, 土師将裕, 柏谷聡, 三宅亮, 芳賀芳範, 寺嶋孝仁, 芝内孝禎, 笠原裕一, 松田祐司]
通讯作者：
松田祐司
BiS2系超伝導体における異方的ギャップ構造の軌道揺らぎペアリングによる理解
通过轨道涨落配对了解 BiS2 超导体中的各向异性间隙结构
通过轨道涨落配对了解 BiS2 超导体中的各向异性间隙结构
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木雄大, 臼井秀知, 黒木和彦, 池田浩章]
通讯作者：
池田浩章
CeCoIn5薄膜におけるブロードなNQRスペクトルと核スピン 格子緩和率の分布
CeCoIn5 薄膜中的宽 NQR 谱和核自旋晶格弛豫率分布
CeCoIn5 薄膜中的宽 NQR 谱和核自旋晶格弛豫率分布
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山中隆義, 下澤雅明, 遠藤僚太, 水上雄太, 宍戸寛明, 北川俊作, 池田浩章, 芝内孝禎, 寺嶋孝仁, 松田祐司, 石田憲二]
通讯作者：
石田憲二
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