Hochauflösende Photoemissionsuntersuchungen von Quasikristallen an der Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Laboratory

在这段时间里，Antwort的第一个基本原理是在Quasikristallen中使用电子器件的特性。同步辐射的测量结果显示，在Al71.8Ni14.8Co13.4合金中，s-p-abgeleiteten Valenzbandelektronen的带是一个很大的带。Damit konnte nachgewiesen韦尔登，daß die elektronischen Zustände von Quasikristallen delokalisierten Zuständen von periodischen Kristallen deutlich ähnlicher sind，als lokalisierten，就像在amorphen Materialien vorherrschen中一样。In Fortsetzung des Vorhabens sollen zunächst an zweizähligen Flächen von AlNiCo elektronische Zustände ferner des Zentrums des Impulsraumes genauer untersucht韦尔登。Im Anschluetum soll die Struktur der d-abgeleiteten Zustände anhand eines verwandten dekagonalen Systems aufgeklärt韦尔登.作为AlPdMn的替代品，三种准基督教传统中的一种，只有两种准基督教系统中的一种，在电子学特性的影响下，才能产生一种新的影响。

In der auslaufenden Förderperiode ist es uns gelungen, eine erste grundlegende Antwort auf die bis dahin offene Frage nach dem Charakter der elektronischen Zustände in Quasikristallen zu geben. Messungen an der Synchrotronstrahlungsquelle zeigen ein klares bandartiges Verhalten der s-p-abgeleiteten Valenzbandelektronen in dekagonalem Al71.8Ni14.8Co13.4. Damit konnte nachgewiesen werden, daß die elektronischen Zustände von Quasikristallen delokalisierten Zuständen von periodischen Kristallen deutlich ähnlicher sind, als lokalisierten, wie sie in amorphen Materialien vorherrschen.In Fortsetzung des Vorhabens sollen zunächst an zweizähligen Flächen von AlNiCo elektronische Zustände ferner des Zentrums des Impulsraumes genauer untersucht werden. Im Anschluß soll die Struktur der d-abgeleiteten Zustände anhand eines verwandten dekagonalen Systems aufgeklärt werden. Abschließend sind Messungen an AlPdMn, einer in drei Dimensionen quasikristallinen Legierung geplant, um in einem Vergleich zu den nur in zwei Dimensionen quasikristallinen dekagonalen Systemen einen Einblick in den Einfluß der Dimensionalität auf den Charakter der elektronischen Zustände zu gewinnen.