Herstellung und mikrostrukturelle Beschreibung neuartiger Verbundwerkstoffe mit höchster thermischer Leitfähigkeit und optimierter thermischer Ausdehnung

Ziel des Forschungsantrages is es，unter Anwendung metallphysikalischer Grundlagen zur Elektronen-Phonen-Wechselenkung Wärmesenken mit höchster thermischer Leitfähigkeit und optimierter thermischer Ausdehnung herstellen zu können，die dringend in der Mikroelektronik zur Abführung der Wärme benötigt韦尔登.在这一过程中，我们发现，粉末冶金工业/金刚石检验工作具有更高的效率，但这并不意味着热膨胀和热膨胀的理论计算是韦尔登的。熊是一个非常有价值的人，它的模型是由理想的格伦茨弗莱舍设计的，因此它的设计是由格伦茨弗莱舍库普弗/钻石设计的。一场战争结束了。Dieser schlechte Wärmetransport ist auf die schwache Elektronen-Phononen-Kopplung zwischen Kupfer，einem bei Raumtemperatur nahezu reinem Elektronenleiter，und Diamant，einem ausschließlichen Phonenleiter，zurückzuführen.在这个堡垒中，只有一个韦尔登和金刚石之间的缝隙，在拉格的内部，电子-声子-传感器将铜和金刚石连接起来。如果你不介意的话。一个TiC-Schicht angesehen，well beil beil bei der metallischen Keramik TiC sowohl Elektronen als also uch Phononen zur Wärkenitung beitragen and wegen des hohen E-Moduls dieser einge gute Elektronen-Phonen-Kopplung zu erwarten ist.由于采用了粉末技术来制作韦尔登的迪凯，因此，在制造过程中，电子-声子-微电子技术将铜和金刚石最佳地结合在一起，从而使金刚石在韦尔登生产过程中具有更高的质量。

Ziel des Forschungsantrages ist es, unter Anwendung metallphysikalischer Grundlagen zur Elektronen-Phononen-Wechselwirkung Wärmesenken mit höchster thermischer Leitfähigkeit und optimierter thermischer Ausdehnung herstellen zu können, die dringend in der Mikroelektronik zur Abführung der Wärme benötigt werden. Die bisherigen Untersuchungen zeigten, dass es zwar möglich ist, über pulvermetallurgische Arbeitsweisen Kupfer/Diamant-Verbundwerkstoffe mit hoher Dichte herzustellen, jedoch könnten die theoretisch berechneten Werte von Wärmeleitfähigkeit und thermischen Ausdehnungskoeffizienten nicht erreicht werden. Die Ursache liegt darin, dass bei den Berechnungsmodellen von idealen Grenzflächen ausgegangen wurde, die Untersuchungen aber zeigten dass an den Grenzflächen Kupfer/Diamant ein hoher Grenzflächenwiderstand auftritt, d.h. kaum ein Wärmeübergang erfolgt. Dieser schlechte Wärmetransport ist auf die schwache Elektronen-Phononen-Kopplung zwischen Kupfer, einem bei Raumtemperatur nahezu reinem Elektronenleiter, und Diamant, einem ausschließlichen Phonenleiter, zurückzuführen. In diesem Fortsetzungsantrag sollen deshalb dünne Schichten zwischen Diamant und Kupfer eingebracht werden, die in der Lage sind, die Elektronen-Phononen-Wechselwirkung zwischen Kupfer und Diamant zu verbessern. Als geeignete Schicht wird z.B. eine TiC-Schicht angesehen, weil bei der metallischen Keramik TiC sowohl Elektronen als auch Phononen zur Wärmeleitung beitragen und wegen des hohen E-Moduls dieser einge gute Elektronen-Phononen-Kopplung zu erwarten ist. Es soll über pulvertechnologische Arbeitsweisen die Dicke der TiC-Schicht erarbeitet werden, die in der Lage ist, die Elektronen-Phononen-Wechselwirkung zwischen Kupfer und Diamant optimal zu fördern, damit die ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit von Diamant in dem Verbundwerkstoff genutzt werden kann.