Der Einfluß von intrinsischen Verspannungen auf die Oberflächenmorphologie bei der Si/Ge Heteroepitaxie

Der Aufbau der Apparatur ist MIT ersten Messungen am ModelSystem Ge auf Si(111)in der ersten Projektase erfolgreich abgeschlossen Worden.这是一种新的技术和技术，但不能满足客户的需求。这十个不同的系统是不同的，我们不能把它们放在一起，而不能把它们放在平面内，而不是把它们放在一起。对这一问题进行了定量的动力分析。从假象到假象，从体育场到岸边都有弹性。这是一种非常有效的柴油机机械制造方法，它可以在不同的温度下进行，并保持良好的性能。表面活性剂表面活性剂在平面上的吸附不同于其他表面活性剂，也不同于其他表面活性剂。这是一种新的技术和技术，它是一种新的技术。这是一项非常重要的工作，也是最重要的工作。

Der Aufbau der Apparatur ist mit ersten Messungen am Modellsystem Ge auf Si(111) in der ersten Projektphase erfolgreich abgeschlossen worden. Damit steht jetzt als einmalige Besonderheit die Kombination der in situ Verspannungsmessung (SSIOD) zusammen mit der in situ hochauflösenden Elektronenbeugung (SPA-LEED) für weitergehende Untersuchungen zur Verfügung. Damit soll nun erstmalig bei einem gitterfehlangepaßten Heterosystem die Beeinflussung und wechselseitige Abhängigkeit von Oberflächenmorphologie und intrinsischen in-plane Verspannungen gleichzeitig mit beiden Methoden während des Wachstums untersucht werden. Dies ist von besonderer Bedeutung für die quantitative Analyse der Dynamik der Relaxationsprozesse. Neben der plastischen Entspannung durch Versetzungsbildung werden im pseudomorphen Wachstumsstadium verschiedene elastische Entspannungsmechanismen beobachtet. Die Effektivität dieser Mechanismen zur Spannungsrelaxation sollen in Abhängigkeit von der Ge Schichtdicke, dem Legierungsverhältnis x von GexSi1-x Legierungen und der Substrattemperatur untersucht werden. Durch die Adsorption verschiedener Surfactants kann diese in-plane Verspannung noch zusätzlich entweder teilweise kompensiert oder verstärkt werden, wodurch z.B. wiederum die Entstehung von Versetzungen verzögert einsetzt. Neben der Bedeutung für technologische Anwendungen erlauben diese Untersuchungen grundlegende und aktuelle Fragestellungen des Wechselspiels von Verspannung und Morphologie zu behandeln. Aufgrund des umfangreichen Forschungsprogramms soll das Projekt für eine Laufzeit von drei Jahren beantragt werden.