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Ultraschneller Ladungstransfer an Grenzflächen von Halbleiter-Nanokristallen

Ultraschneller Ladungstransfer an Grenzflächen von Halbleiter-Nanokristallen
半导体纳米晶体界面的超快电荷转移
批准号:
5331038
负责人:
Privatdozent Dr. Alexander Ogrodnik
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2002
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2001-12-31 至 2006-12-31

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项目成果

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英文摘要
Es sollen photoinduzierte Ladungstransferprozesse an der Grenzfläche zwischen adsorbierten Farbstoffmolekülen und nanokristallinem Halbleitersubstrat mit großer Bandlücke studiert werden. Die Sensibilisatormoleküle sind durch geeignete Ankergruppen fest mit der Substratoberfläche verbunden, wobei die Geometrie so eindeutig als möglich festgelegt werden soll, um eine weitestgehend homogene elektronische Kopplung zu gewährleisten. An diesen Systemen soll die Elektroneninjektion in optischer Spektroskopie mit ultraschneller Zeitauflösung (20fs) untersucht werden. Ziel ist es, an ausgewählten Beispielen ein Modell des Elektrontransfers an Grenzflächen zu erarbeiten, um das Wechselspiel zwischen elektronischem Mischen eines einzelnen molekularen Donorzustands mit einem dichten Kontinuum an Akzeptor-Bandzuständen und den Relaxationsmechanismen im Leitungsband und in der molekularen vibronischen Leiter für konkrete Fälle zu verstehen. Die Injektionsgeschwindigkeit soll deshalb erstmalig systematisch auf ihre Abhängigkeit von der Injektionsenergie, der Temperatur und der Kopplung untersucht werden...
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