軟X線位相差顕微鏡の開発による多層膜表面・界面の高分解能分析
軟X線位相差顕微鏡の開発による多層膜表面・界面の高分解能分析
通过开发软 X 射线相差显微镜对多层薄膜表面和界面进行高分辨率分析
批准号：
03J02033
负责人：
浜本 和宏
金额：
$1.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2003
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2003 至 2005
中文摘要
翻译
2009年に導入予定の次世代半導体製造技術である極端紫外線リソグラフィー(EUVL)技術の課題のひとつに,マスクレチクルの無欠陥化がある.そのため,多層膜が形成されたマスク上の欠陥像を露光光と同一のEUV光で,直接観察し,サブナノメートル(0.03nm)の微細な表面・界面の3次元像の形成を目的として,軟X線位相差顕微鏡の開発を進めてきた.本装置は開口数0.3,倍率30倍のSchwarzschild光学系と,像の拡大検出をおこなうX線ズーミング管からなり,マスク表面の像を直接観察することができる.開発した装置を用いて,EUVL用実マスクの吸収体回路パタンの観察を進め,SEMやAFM等では評価できない,EUV光特有の欠陥を評価することができた.検出分解能は50nmである.また,EUVL用マスク特有の欠陥である,ガラス基板上の凹凸等が起因する位相欠陥についてもその観察に成功した.観察した位相欠陥は,ガラス基板上に高さ5nm,幅90nmのパタンを疑似的に形成し,その上にMo/Si多層膜を成膜したものである.従来の欠陥による散乱の計測では,多層膜に凹凸がなければ検出できないが,本装置を用いた場合,多層膜内部のひずみによる欠陥の像を観察しているため,多層膜表面上の形状によらない欠陥の検出が可能であり,パタン露光と同じ条件でマスク表面を観察しているため,これらの欠陥が転写欠陥となるかどうかの評価をすすめることができる.
英文摘要
2009年に導入予定の次世代半導体製造技術である極端紫外線リソグラフィー(EUVL)技術の課題のひとつに,マスクレチクルの無欠陥化がある.そのため,多層膜が形成されたマスク上の欠陥像を露光光と同一のEUV光で,直接観察し,サブナノメートル(0.03nm)の微細な表面・界面の3次元像の形成を目的として,軟X線位相差顕微鏡の開発を進めてきた.本装置は開口数0.3,倍率30倍のSchwarzschild光学系と,像の拡大検出をおこなうX線ズーミング管からなり,マスク表面の像を直接観察することができる.開発した装置を用いて,EUVL用実マスクの吸収体回路パタンの観察を進め,SEMやAFM等では評価できない,EUV光特有の欠陥を評価することができた.検出分解能は50nmである.また,EUVL用マスク特有の欠陥である,ガラス基板上の凹凸等が起因する位相欠陥についてもその観察に成功した.観察した位相欠陥は,ガラス基板上に高さ5nm,幅90nmのパタンを疑似的に形成し,その上にMo/Si多層膜を成膜したものである.従来の欠陥による散乱の計測では,多層膜に凹凸がなければ検出できないが,本装置を用いた場合,多層膜内部のひずみによる欠陥の像を観察しているため,多層膜表面上の形状によらない欠陥の検出が可能であり,パタン露光と同じ条件でマスク表面を観察しているため,これらの欠陥が転写欠陥となるかどうかの評価をすすめることができる.
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K.Hamamoto, S.Takada, T.Watanabe, N.Sakaya, T.Shoki, M.Hosoya, H.Kinoshita: "Investigation of Contamination Removal from Finished EUVL Mask"Journal, Photopolym, Science, Techonology. 16,3. 395-400 (2003)
K.Hamamoto、S.Takada、T.Watanabe、N.Sakaya、T.Shoki、M.Hosoya、H.Kinoshita：“EUVL 掩模成品去除污染物的研究”期刊、Photopolym、Science、Techonology。
K.Hamamoto、S.Takada、T.Watanabe、N.Sakaya、T.Shoki、M.Hosoya、H.Kinoshita：“EUVL 掩模成品去除污染物的研究”期刊、Photopolym、Science、Techonology。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
K.Hamamoto, T.Watanabe, N.Sakaya, M.Hosoya, T.Shoki, H.Hada, N.Hishinuma, H.Sugahara, H.Kinoshita: "Cleaning of EUVL masks and optics using 172-nm and 13.5-nm radiatio"Japan, Journal, Applied, Physics. (発表予定).
K.Hamamoto、T.Watanabe、N.Sakaya、M.Hosoya、T.Shoki、H.Hada、N.Hishinuma、H.Sugahara、H.Kinoshita：“使用 172 nm 和 13.5-nm 清洁 EUVL 掩模和光学器件纳米辐射”日本，杂志，应用，物理。（待出版）。
K.Hamamoto、T.Watanabe、N.Sakaya、M.Hosoya、T.Shoki、H.Hada、N.Hishinuma、H.Sugahara、H.Kinoshita：“使用 172 nm 和 13.5-nm 清洁 EUVL 掩模和光学器件纳米辐射”日本，杂志，应用，物理。（待出版）。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
T.Haga, H.Kinoshita, K.Hamamoto, S.Takada, N.Kazui, S.Kakunai, H.Tsubakino, T.Watanabe: "Evaluation of finished EUVL Mask using a Mirau Intergenometric Microscope"Japan, Journal, Applied, Physics. 42. 3771-3775 (2003)
T.Haga、H.Kinoshita、K.Hamamoto、S.Takada、N.Kazui、S.Kakunai、H.Tsubakino、T.Watanabe：“使用 Mirau 基因间显微镜评估成品 EUVL 面膜”日本、期刊、应用、
T.Haga、H.Kinoshita、K.Hamamoto、S.Takada、N.Kazui、S.Kakunai、H.Tsubakino、T.Watanabe：“使用 Mirau 基因间显微镜评估成品 EUVL 面膜”日本、期刊、应用、
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发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
T.Watanabe, T.Haga, T.shoki, K.Hamamoto, S.Takada, N.Kazui, N.Kakunai, H.Tsubakino, H.Kinoshita: "Pattern Inspection of EUV Mask using a EUV Microscope"Proceeding, SPIE. 5130. 1005-1013 (2003)
T.Watanabe、T.Haga、T.shoki、K.Hamamoto、S.Takada、N.Kazui、N.Kakunai、H.Tsubakino、H.Kinoshita：“使用 EUV 显微镜对 EUV 掩模进行图案检查”论文集，SPIE
T.Watanabe、T.Haga、T.shoki、K.Hamamoto、S.Takada、N.Kazui、N.Kakunai、H.Tsubakino、H.Kinoshita：“使用 EUV 显微镜对 EUV 掩模进行图案检查”论文集，SPIE
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
Actinic Mask Inspection Using an EUV Microscope-Preparation of a Mirau Interferometer for Phase-Defect Inspection-
使用 EUV 显微镜进行光化掩模检查 - 用于相位缺陷检查的 Mirau 干涉仪的准备 -
使用 EUV 显微镜进行光化掩模检查 - 用于相位缺陷检查的 Mirau 干涉仪的准备 -
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 44巻7B号
影响因子：
--
作者：
[K.Hamamoto, Y.Tanaka, H.Kawashima, S.Y.Lee, N.Hosokawa, N.Sakaya, M.Hosoya, T.Shoki, T.Watanabe, H.Kinoshita]
通讯作者：
H.Kinoshita
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