Function and fatigue of oxide electrodes in organic light emitting diodes (D03)

Im bisherigen Verlauf des Teilprojekts konnte durch umfangreiche Messungen an ITOO berflächen und deren Grenzflächen zu organischen Materialien ein detailliertes Verständnis der beteiligten Prozesse erarbeitet韦尔登.事实上，ITO-Herstellung在原地已经存在了。由于两种不同的自由度都是韦尔登，因此ITO的劳动强度并不取决于上翼的强度，而是取决于费米望远镜韦尔登的强度。这一点在文学家看来是显而易见的。这是一个很好的解释，因为费米尼维的观点是有一个共同点的.在ITO中使用Sauerstoff。这将通过ITO的特殊缺陷结构与一个大的Zahl这样一个更大的结构来实现。在有组织的物质基础上，我们将继续努力。这是一种有机分子的化学反应。Bei der Auslagerung von Sauerstoff ändert sich die拉格des Ferminiveaus an der ITO Oberfläche degestalt，dass die Barrierenhöhe für die Injektion von Löchern erhöht wird（Reduktion der Austrittsarbeit）. Dies könnte ursächlich für die Erhöhung der Spannung im Verlauf des Betriebs organischer Leuchtdioden bei constantem Strom verantwortlich sein.因此，Moleküle的Zersetzung，als auch die Änderung der Barrierenhöhe können maßgeblich zur Ermüdung beitragen。Hieraus ergeben sich folgende Zielvorgaben für die Fortsetzung des Projekts：Einerseits soll der Sauerstoffaustausch，insbesondere dessen Kinetik，an ITO-Oberflächen quantisiert韦尔登. Vorgesehen sind hierzu in erster Linie zeitabhängige Messungen der Änderung der elektrischen Leitfähigkeit in Abhängigkeit der Atmosphere，Untersuchungen zum Sauerstoffaustausch mit dem Isotop 18O，and Photoemission bei hohem Drücken.该卫理公会将韦尔登um modifizierte ITO-Oberflächen hinsichtlich der Änderung des Sauerstoffaustauschs zu charakterisieren. Als Modifizierung韦尔登an dieser Stelle die üblicherweise für die Herstellung von organischen Leuchtdioden verwendeten Oberflächenbehandlungen（z. B。UV-Ozon）und anorganische Beschichtungen der Oberfläche（z. B。SnO_2、Al_2O_3）四方晶系。平行的太阳能韦尔登，以SnO 2为基础的电致发光材料，用于有机发光器件。Um den Einfluss des Sauerstoffaustauschs auf die Ermüdung und die Wirksamkeit der Oberflächenmodifizierungen nachzuweisen韦尔登durchgängig organische Leuchtdioden unter Verwendung der Jeweiligen Elektroden hergestellt und charakterisiert.

Im bisherigen Verlauf des Teilprojekts konnte durch umfangreiche Messungen an ITOOberflächen und deren Grenzflächen zu organischen Materialien ein detailliertes Verständnis der beteiligten Prozesse erarbeitet werden. Entscheidend war dabei, dass die ITO-Herstellung in situ erfolgt ist. Dadurch konnte zweifelsfrei festgestellt werden, dass die größten Beiträge zur Änderung der Arbeitsarbeit des ITO nicht durch Änderungen des Oberflächendipols, sondern durch Änderung der Lage des Ferminiveaus verursacht werden. Dieser Aspekt wurde in der Literatur bisher weitgehend vernachlässigt. Die Ergebnisse belegen weiterhin, dass die Änderung des Ferminiveaus mit der Ein- bzw. Auslagerung von Sauerstoff in das ITO zusammenhängt. Diese wird durch die spezielle Defektstruktur des ITO mit einer großen Zahl so genannter struktureller Leerstellen begünstigt. Bei der Bildung der Grenzfläche mit organischen Materialien wird Sau erstoff ausgelagert. Dieser reagiert mit den organischen Molekülen und führt zu deren chemischen Zersetzung. Bei der Auslagerung von Sauerstoff ändert sich die Lage des Ferminiveaus an der ITO-Oberfläche dergestalt, dass die Barrierenhöhe für die Injektion von Löchern erhöht wird (Reduktion der Austrittsarbeit). Dies könnte ursächlich für die Erhöhung der Spannung im Verlauf des Betriebs organischer Leuchtdioden bei konstantem Strom verantwortlich sein. Sowohl die Zersetzung der Moleküle, als auch die Änderung der Barrierenhöhe können maßgeblich zur Ermüdung beitragen. Hieraus ergeben sich folgende Zielvorgaben für die Fortsetzung des Projekts: Einerseits soll der Sauerstoffaustausch, insbesondere dessen Kinetik, an ITO-Oberflächen quantisiert werden. Vorgesehen sind hierzu in erster Linie zeitabhängige Messungen der Änderung der elektrischen Leitfähigkeit in Abhängigkeit der Atmosphäre, Untersuchungen zum Sauerstoffaustausch mit dem Isotop 18O, und Photoemission bei hohem Drücken. Die Methodik soll dann dazu verwendet werden um modifizierte ITO-Oberflächen hinsichtlich der Änderung des Sauerstoffaustauschs zu charakterisieren. Als Modifizierung werden an dieser Stelle die üblicherweise für die Herstellung von organischen Leuchtdioden verwendeten Oberflächenbehandlungen (z. B. UV-Ozon) und anorganische Beschichtungen der Oberfläche (z. B. SnO2, Al2O3) betrachtet. Parallel dazu soll versucht werden, ob SnO2 basierte Elektrodenmaterialien prinzipiell für organische Leuchtdioden geeignet sind. Um den Einfluss des Sauerstoffaustauschs auf die Ermüdung und die Wirksamkeit der Oberflächenmodifizierungen nachzuweisen werden durchgängig organische Leuchtdioden unter Verwendung der jeweiligen Elektroden hergestellt und charakterisiert.