Beschichtungsanlage

该beantragte Forschungsgroßgerät soll zur Beschichtung von Siliziumwafern bis 150 mm Durchmesser und Speczialsubstraten（Folien，Kunstststoffe，Keramik）mit vorwiegend metallischen Schichten genutzt韦尔登。这是对1987年旧建筑的一次检查（MRC 463），而对1990年旧建筑的功能没有梅尔大（CLC 9000）。Die Anschaffung der Anlage ist dringend erforderlich，insbesondere um die Cooperationsfähigkeit mit Forschungspartnern und allgemein die Wettbewerbsfähigkeit des Zentrums für Mikrotechnologien zu erhalten und die Realisierung der anstehenden Forschungs- und Entwicklungsaufgaben in entsprechend hoher Qualität weiter zu ermöglichen.研究对象包括硅微机械扫描仪的反射性和内反射性的确定、生物材料的匹配性、巴里埃和启动性的确定（TiN，TaN，Ta，Cu，W，Al）für die chemische Gasphasenabscheidung（CVD）von Metallen aus neu entwickelten Precursoren，sowie gesputterte巴里埃- und Startschichten（Ta，TaN，TiN）für die Atomlagenabscheidung（ALD）von Kupfer- und Kupferoxidschichten.对于所有的erwähnten Prozesse韦尔登来说，Anforderungen和Homogenität der abzuscheidenden Schichten bei meist geringer thermischer Belastung für die Substrate gestellt。

Das beantragte Forschungsgroßgerät soll zur Beschichtung von Siliziumwafern bis 150 mm Durchmesser und Spezialsubstraten (Folien, Kunststoffe, Keramik) mit vorwiegend metallischen Schichten genutzt werden. Es stellt eine Ersatzbeschaffung für eine Anlage Baujahr 1987 (MRC 463} und eine nicht mehr funktionstüchtige Anlage Baujahr 1990 (CLC 9000) dar. Die Anschaffung der Anlage ist dringend erforderlich, insbesondere um die Kooperationsfähigkeit mit Forschungspartnern und allgemein die Wettbewerbsfähigkeit des Zentrums für Mikrotechnologien zu erhalten und die Realisierung der anstehenden Forschungs- und Entwicklungsaufgaben in entsprechend hoher Qualität weiter zu ermöglichen. Konkrete Beispiele für die Nutzung der Anlage für laufende und geplante Forschungsprojekte sind die Herstellung von Reflexionsschichten und entsprechenden Schutzschichten auf Silizium für mikromechanische Scanner, die Erzeugung biologisch kompatibler Materialien auf Kunststoffen und Spezialfolien und die Herstellung vorwiegend gesputterter Barriere- und Startschichten (TiN, TaN, Ta, Cu, W, AI) für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Metallen aus neu entwickelten Precursoren, sowie gesputterte Barriere- und Startschichten (Ta, TaN, TiN) für die Atomlagenabscheidung (ALD) von Kupfer- und Kupferoxidschichten. Für all die erwähnten Prozesse werden sehr hohe Anforderungen an die Homogenität der abzuscheidenden Schichten bei meist geringer thermischer Belastung für die Substrate gestellt.