垂直凝固(VF)法生长<100>GaAs单晶的工艺探索
批准号：
69376003
项目类别：
面上项目
资助金额：
5.0 万元
负责人：
王永鸿
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
1995
批准年份：
1993
项目状态：
已结题
项目参与者：
马碧春、宋萍、王文山、韩庆斌
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