高频电应力下p-GaN HEMT器件电学特性退化与损伤机理研究
批准号：
62504055
项目类别：
青年科学基金项目（C类）
资助金额：
30.00 万元
负责人：
陈兴欢
依托单位：
学科分类：
信息科学部
结题年份：
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批准年份：
2025
项目状态：
未结题
项目参与者：
陈兴欢
关键词：
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