A new measurement technique for the characterization of carrier lifetime in thin SOI MOSFETs
A new measurement technique for the characterization of carrier lifetime in thin SOI MOSFETs
复制标题
用于表征薄 SOI MOSFET 载流子寿命的新测量技术
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nakajima;Y.Nakajima
通过深亚微米栅极 SOI MOSFET 中的完全反转来抑制短沟道效应
影响因子：
1.7
作者：
T. Hanajiri;Toru Toyabe;T. Sugano
通讯作者：
T. Sugano