Topological phase transition in half-Heusler compounds HfIrX (X = As, Sb, Bi)
Topological phase transition in half-Heusler compounds HfIrX (X = As, Sb, Bi)
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半赫斯勒化合物 HfIrX（X = As、Sb、Bi）中的拓扑相变
DOI：
10.1016/j.commatsci.2016.08.005
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发表时间：
2016-11
影响因子：
3.3
通讯作者：
Wei, JunHong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Guangtao;Wei, JunHong
研究了半-Heusler化合物HfIrX(X=As，Sb，Bi)的晶格常数和原子替代可调拓扑相变。在平衡立方晶体结构下，除SOC外，HfIrAs和HfIrBi是拓扑非平凡的半金属，而HfIrSb是平凡的拓扑绝缘体。这是因为“内压”将SΓ1带抬升到HfIrSb的p型Γ5带之上。当加入SOC时，HfIrAs和HfIrSb分别成为拓扑绝缘体和正常带状绝缘体，而HfIrBi仍然是拓扑型半金属。当我们在HfIrBi的ab面上施加压应力时，它变成了Weyl半金属，在(±Kx，0，±Kz)，(0，±Ky，±Kz)，Kx=Ky=0.023？−1，Kz=0.108？−1处有8个Weyl点(Wps)。
We studied the lattice constant and atoms substitution tunable topological phase transition in the half-Heusler compounds HfIrX (X= As, Sb, Bi). At the equilibrium cubic crystal structure and excluding SOC, HfIrAs and HfIrBi are topological nontrivial semimetal, while HfIrSb is a trivial topological insulator. This is because that the “internal pressure” lifts the s-type Γ 1 band above p-type Γ 5 bands in HfIrSb. When SOC is included, HfIrAs and HfIrSb become topological insulator, and normal band insulator, respectively, while HfIrBi is still a topological semimetal. When we induce compressive stress in the ab-plane of HfIrBi, it becomes a Weyl semimetal, with eight Weyl-Points (WPS) at (±K x, 0,±K z),(0,±K y,±K z), K x= K y= 0.023 Å− 1, K z= 0.108 Å− 1.
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影响因子：
1.6
作者：
A. Vishwanath;H. Miao;J. Ma;P. Richard;X. Dai;Tao Qian;H. Ding
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A. Vishwanath;H. Miao;J. Ma;P. Richard;X. Dai;Tao Qian;H. Ding
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A. Zyuzin;A. Burkov
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Xiangang Wan;Ari M. Turner;A. Vishwanath
通讯作者：
Xiangang Wan;Ari M. Turner;A. Vishwanath