Study of Single-Charge Polarization on a Pair of Charge Qubits Integrated onto Silicon Double Single-Electron Transistor Readout
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集成在硅双单电子晶体管读出器上的一对电荷量子位的单电荷极化研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kawata;S. Oda;et al.
通过谐振隧道电流研究两个双量子点之间的静电耦合
DOI：
10.7567/ssdm.2006.a-8-1
发表时间：
2006
期刊：
The Japan Society of Applied Physics
影响因子：
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作者：
G. Shinkai;T. Fujisawa;T. Hayashi;Y. Hirayama
通讯作者：
Y. Hirayama
使用 RD2000N 电子束直写技术制造纳米器件
影响因子：
1.4
作者：
A. Dutta;Sangyeop Lee;Y. Hayafune;S. Oda
通讯作者：
S. Oda
DOI：
10.1016/j.physe.2003.11.184
发表时间：
2004-03-01
影响因子：
3.3
作者：
Fujisawa, T;Hayashi, T;Hirayama, Y
通讯作者：
Hirayama, Y