Temperature-Dependent Schottky Diode Behavior of Ni Schottky Contacts to Α-Ga2o3 Film Epitaxially Grown on Sapphire Substrate
Temperature-Dependent Schottky Diode Behavior of Ni Schottky Contacts to Α-Ga2o3 Film Epitaxially Grown on Sapphire Substrate
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蓝宝石衬底上外延生长的 α-Ga2o3 薄膜的 Ni 肖特基接触的温度依赖性肖特基二极管行为
DOI：
10.2139/ssrn.4303479
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chel
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Boldbaatar;V. Janardhanam;M. Zumuukhorol;Hoon;Hae;H. Kim;K. Shim;Chel
使用扫描内部光电显微镜绘制 a-Ga2O3 肖特基接触的界面反应图
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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作者：
Kenji Shiojima;Hitoshi Kambara;Tokiyoshi Matsuda;and Takashi Shinohe
通讯作者：
and Takashi Shinohe