Mapping of interfacial reaction of a-Ga2O3 Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
Mapping of interfacial reaction of a-Ga2O3 Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
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使用扫描内部光电显微镜绘制 a-Ga2O3 肖特基接触的界面反应图
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Takashi Shinohe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kenji Shiojima;Hitoshi Kambara;Tokiyoshi Matsuda;and Takashi Shinohe
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