Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy
Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy
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通过深能级光谱探测 AlGaN/GaN 异质界面的带隙状态
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
櫻井岳暁;馬場暁久;Ronit Prakash;間瀬一彦;秋本克洋;米倉健志;Y.Nakano
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
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影响因子：
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作者：
U. K. Ringel
通讯作者：
U. K. Ringel
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DOI：
10.1002/pssc.200461300
发表时间：
2005
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通讯作者：
K. Hataya
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L. Eastman