Temperature-induced valence transition in transition in EuNi_2(Si_<0.20>Ge_<0.80>)_2 studied by hard X-ray photoemission spectroscopy
Temperature-induced valence transition in transition in EuNi_2(Si_<0.20>Ge_<0.80>)_2 studied by hard X-ray photoemission spectroscopy
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硬X射线光电子能谱研究EuNi_2(Si_<0.20>Ge_<0.80>)_2过渡过程中温度诱导的价态跃迁
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K.Yamamoto;N.Kamakura;M.Taguchi;A.Chainani;Y.Takata;K.Horiba;S.Shin;et al.
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一种新颖独特的铕基混合价态体系：EuPd2Si2
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10.1088/0022-3719/14/9/006
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1981
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通讯作者：
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DOI：
--
发表时间：
2004
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影响因子：
--
作者：
K.Yamamoto;M.Taguchi;N.Kamakura;K.Horiba;Y.Takata;A.Chainani;S.Shin;E.Ikanaga;K.Mimura;M.Shiga;H.Wada;H.Namatame;M.Taniguchi;M.Awaji;A.Takeuchi;Y.Nishino;D.Miwa;T.Ishikawa;K.Kobayashi
通讯作者：
K.Kobayashi
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通讯作者：
L. C. Gupta
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通讯作者：
A. Kotani