Measurement of backward secondary-electron yield under molecular ion impact coincident with emerging projectiles
Measurement of backward secondary-electron yield under molecular ion impact coincident with emerging projectiles
复制标题
与新兴射弹同时发生的分子离子撞击下的后向二次电子产率的测量
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Sasa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Tomita;Y. Shiina;S. Tamura;R. Kinoshita;S. Ishii;K. Sasa
登录
查看更多内容
减少薄碳箔中每个原子碳簇离子 0.5 MeV 的能量损失
DOI：
10.1103/physreva.82.044901
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Tomita;M. Murakami;N. Sakamoto;S. Ishii;K. Sasa;T. Kaneko;H. Kudo
通讯作者：
H. Kudo
二次电子发射对穿透薄碳箔的 2.5 MeV 质子出射角的依赖性
DOI：
10.1103/physreva.68.052901
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Ogawa;H. Tsuchida;N. Sakamoto
通讯作者：
N. Sakamoto
镜面反射 MeV 质子的二次电子发射
影响因子：
2.9
作者：
K. Kimura;S. Ooki;Gou Andou;K. Nakajima;M. Mannami
通讯作者：
M. Mannami
快速 C2 离子诱导的非晶碳箔正向二次电子发射的邻近效应
DOI：
10.1209/0295-5075/88/63001
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Takahashi;K. Narumi;A. Chiba;Y. Saitoh;K. Yamada;N. Ishikawa;H. Sugai;Y. Maeda
通讯作者：
Y. Maeda
快碳簇离子辐照下薄碳箔正向电子发射中护航电子产额和二次电子产额的非加和性
DOI：
10.1103/physreva.73.060901
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Tomita;S. Yoda;R. Uchiyama;S. Ishii;K. Sasa;T. Kaneko;H. Kudo
通讯作者：
H. Kudo