Ultra-high temperature oxidation behavior of chemical vapor deposited silicon carbide layers

Ultra-high temperature oxidation behavior of chemical vapor deposited silicon carbide layers
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化学气相沉积碳化硅层的超高温氧化行为

DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Proc. 3rd Int.Symp.Mater.Chem. in Nuclear Environment (Material Chemistry '02 MC '02)(JAERI-Conf 2003-001)
影响因子：
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通讯作者：
T.Goto
T.Goto
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T.Ishimasa;Y Kaneko;H.Kaneko;T.Goto

文献摘要

参考文献

被引文献

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High‐Temperature Active Oxidation of Chemically Vapor‐Deposited Silicon Carbide in an Ar─O2 Atmosphere
DOI： 10.1111/j.1151-2916.1993.tb03975.x
发表时间： 1991-10
期刊： Journal of the American Ceramic Society
影响因子： 3.9
作者：
T. Narushima;T. Goto;Y. Iguchi;T. Hirai
通讯作者： T. Narushima;T. Goto;Y. Iguchi;T. Hirai