BaZrSe 3: Ab initio study of anion substitution for bandgap tuning in a chalcogenide material
BaZrSe 3: Ab initio study of anion substitution for bandgap tuning in a chalcogenide material
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BaZrSe 3：硫族化物材料中用于带隙调节的阴离子取代的从头算研究
DOI：
10.1063/1.5097940
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发表时间：
2019
影响因子：
3.2
通讯作者：
Jishi, Radi A.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ong, Marc;Guzman, David M.;Campbell, Quinn;Dabo, Ismaila;Jishi, Radi A.
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作者：
Kojima, Akihiro;Teshima, Kenjiro;Miyasaka, Tsutomu
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通讯作者：
Snaith, Henry J.